答：

晶体管三极管内部分为三个区，即发射区、基区、集电区，当发射结外加正向偏压时，发射区向基区发射大量的载流子，并迅速扩散到集电结边缘，由于集电结反偏，收集这些在基区名誉上的少数载流子。晶体管基区掺杂浓度小为的是使在基区扩散的载流子被复合掉少些，有更多的扩散载流子能到达集电结边缘，从而被收集到集电区。而基区做的很薄可使由发射区注入基区进而到达集电结边缘载流子的扩散路径减小，减少扩散载流子被复合掉的机率，使更多的扩散载流子能到达集电结边缘，而被集电区收集去。